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测量精度高

功能性强

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RMS1000P系列高温四探针电阻率测量系统

主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能，该系统采用直排四探针测量原理和单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准设计研发，可以实现高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗 单晶（棒料、晶片）电阻率和硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻和电阻率。该系统广泛应用于高校科研院所和企业单位半导体薄膜和薄片材料电学性能研究。
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多种环境测量

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集成化设计

满足您的所有电阻率材料测量

可实现多种薄膜材料的电学性能

采用双电测组合四探针测量，提高薄膜电阻和体电阻测量准确度创造了有利条件，使用此方法，测量结果与探针间距无关，不移动四探针针头，同时使用三种模式测量，既可计算得到测试部位的电阻均匀性​

双电测组合法测量原理，精准性和稳定性高

避免薄膜样品损坏，可以测量半导体薄膜和薄片材料的方块电阻、电阻率，双电测组合测量，消除探针和样品的自身影响，稳定性好，精确度高​

经典直排四探针设计，特殊半球状针尖
±0.5℃

可实现高温、真空、气氛测量环境，高温炉膛采用进口纤维一体开模铸造而成，工作温度800℃，采用PID精确控温，实现不同温度区间的精确控温，控温精度达到±0.5℃

多功能真空电学加热炉​

控温精度
PID
精确控温

测量范围宽、重复性好​

提供复杂多变的电阻率测量环境，实现102Ω~1016Ω的电阻率测量；专业薄膜电学测试软件，内置常用关键参数测量，操作简单方便，让系统的重复性好稳定性更高​

保  修  期：1年
测试通道：单通道
电阻测量范围：10²Ω~1016Ω
电流测量范围：500fA~20mA
样品尺寸：φ＜25mm,d＜4mm
供       电：220V/50Hz-60Hz，1600W
重       量：45kg
产品参数
温度范围：RT~1000℃
控温精度：±0.5℃
升温斜率：0-10℃/min（典型值3℃/min）
电极材料：四探针电极
设备尺寸：665*480*602（长*宽*高）
加热方式：电阻式加热